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硅基GAN射频功率器件研发

发布时间: 2023-06-14
来源: 试点城市(园区)
截止日期:2023-06-14

价格 双方协商

地区: 天津市 市辖区 南开区

需求方: 天津***科协

行业领域

新能源及节能技术

需求背景

硅基GAN 射频功率器件,主要应用于通信领域;目前主要技术问题器件的性能及可靠性能力未达到产业化预期。主要应用领域如下:

民用电信:5G通信要求更高的功率、更高的线性度、更高的工作频率(毫米波段)以及更高的效率;

军用通信:雷达、电子对抗、单兵/多兵通信系统、卫星通信等领域。

需解决的主要技术难题

硅基GAN射频功率器非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,硅基GAN射频功率器的优势越明显。但对于手机而言,硅基GAN射频功率器还有很多难题需要解决。

网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件,这使得市场对于射频硅基GAN功率器(GaN)器件的需求不断升温。

举个例子,现在的无线基站里面,已经开始用硅基GAN射频功率器取代硅基射频器件,在基站设备上,硅基GAN射频功率器的使用得越来越广泛。硅基GAN射频功率器受青睐主要是因为它是宽禁带(wide-bandgap)器件,与硅或者其他三五价器件相比,硅基GAN射频功率器速度更快,击穿电压也更高。

现在,为了把硅基GAN射频功率器推到更大的市场去,一些射频氮化镓厂商开始考虑在未来的手持设备中使用硅基GAN射频功率器。对于现在的手机而言,硅基GAN射频功率器的性能过剩,价格又太贵。但将来支持下一代通信标准(即5G)的手机,使用硅基GAN射频功率器是有可能的。

期望实现的主要技术目标

GAN射频器件主要完成样品制作,器件性能达到目前市场主流水平的同时与MOS产品的平台良好兼容。

例如:GaN Wideband Power Amplifier,28V,5W,20-2700MHz样品参数性能达到业内旗舰公司MACOM同等水平。

需求解析

解析单位:天津市南开区 解析时间:2023-06-28

师杨

国强科技有限公司

技术员

综合评价

由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更大的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可以提高效率。Qorvo基础建设与国防产品亚太区FAE经理杨嘉认为,正是因为氮化镓的这些特性,使得氮化镓在基站大功率器件领域具有独特的优势,他预测未来的3~5年内,氮化镓将会逐步成为基站大功率领域的主流方案。 MACOM射频功率及射频能量业务高级总监Mark Murphy在接受《电子工程专辑》采访时表示,“硅基LDMOS高功率晶体管在频率高于2GHz时便开始面临各种挑战,氮化镓的优势会在1GHz到60GHz的应用中将会得到充分的体现。”
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处理进度

  1. 提交需求
    2023-06-14 10:14:58
  2. 确认需求
  3. 需求服务
    2023-06-14 10:51:03
  4. 需求签约
  5. 需求完成